原子層沉積前驅(qū)體往往都是金屬有機(jī)化合物，合適的前驅(qū)體種類較少而且價格昂貴；傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)因需要長時間的惰氣吹掃以保證隨后的表面自限制薄膜生長，沉積速率較慢，不適合大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)；
隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進(jìn)技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設(shè)備的不斷改進(jìn)，諸如“等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。
一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時超過3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產(chǎn)能力。由于空間式原子層沉積設(shè)備中沉積速率不再受限于單個循環(huán)步驟的累計時間，僅取決于襯底或前驅(qū)體噴嘴在兩個半反應(yīng)區(qū)間移動所需的時間，而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數(shù)量。
目前，等離子體增強(qiáng)原子層沉積不僅能夠在更溫和條件下沉積傳統(tǒng)熱原子層沉積能夠沉積的一些金屬以及氧化物等薄膜材料，還可以沉積通常采用CVD在高溫條件下才能沉積的石墨烯等新興材料。
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更新時間：2020-07-03 
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