MiniSIMS ToF是一款高性價(jià)比的TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀，具有高通量分析功能，可用于絕緣、導(dǎo)電表面的成像分析與化學(xué)成分分析。MiniSIMS ToF是研究表面化學(xué)的理想選擇，適用于研發(fā)和工業(yè)質(zhì)量控制應(yīng)用。

TOF-SIMS飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀主要通過(guò)離子源發(fā)射離子束濺射樣品表面進(jìn)行分析。離子束作為一次離子源，經(jīng)過(guò)一次離子光學(xué)系統(tǒng)的聚焦和傳輸，到達(dá)樣品表面。樣品表面經(jīng)過(guò)濺射，產(chǎn)生二次離子，系統(tǒng)將產(chǎn)生的二次離子提取和聚焦，并將二次離子送入離子飛行系統(tǒng)。在離子飛行系統(tǒng)中，不同種類的二次離子由于質(zhì)荷比不同，飛行速度也不同，在飛行系統(tǒng)分離，通過(guò)檢測(cè)這些離子進(jìn)行相關(guān)分析。

MiniSIMS——屢獲殊榮的臺(tái)式二次離子質(zhì)譜儀（SIMS）表面化學(xué)分析系統(tǒng)
賽恩斯（SAI）公司創(chuàng)新研發(fā)的MiniSIMS儀器榮獲歐洲及美國(guó)多項(xiàng)殊榮，其中包括R&D100獎(jiǎng)。該臺(tái)式設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室空間和配套設(shè)施要求極低，卻可全面支持靜態(tài)二次離子質(zhì)譜（Static SIMS）、成像二次離子質(zhì)譜（Imaging SIMS）以及動(dòng)態(tài)（深度剖面）二次離子質(zhì)譜（Dynamic SIMS）三種工作模式。結(jié)合其高通量分析能力，相較于傳統(tǒng)的超高真空SIMS設(shè)備，單個(gè)樣品的檢測(cè)成本最*高可降低90%。憑借較低的單樣品分析成本，該系統(tǒng)非常適用于對(duì)少量元素及有機(jī)表面成分進(jìn)行常規(guī)檢測(cè)，是工業(yè)質(zhì)量控制應(yīng)用的理想解決方案。

MiniSIMS 非常適合用于進(jìn)行表面污染的常規(guī)中期檢查，以便在進(jìn)行后續(xù)昂貴的加工步驟之前，將有缺陷的物品撤出。例如，如果要對(duì)某個(gè)表面進(jìn)行涂漆或與其他材料粘合，其清潔度對(duì)于涂層質(zhì)量或粘合強(qiáng)度至關(guān)重要。在界面和表面研究中，分析不能被底層材料的信號(hào)所淹沒(méi)，這就要求所用技術(shù)的采樣深度足夠小，以排除這些信號(hào)。二次離子質(zhì)譜（SIMS）是所有表面分析技術(shù)中采樣深度最小的技術(shù)之一，因此特別適合分析通常覆蓋在預(yù)期純凈材料表面的極薄污染層。

SIMS 不僅能夠識(shí)別無(wú)機(jī)和元素污染物，而且與許多其他分析技術(shù)不同，它還能對(duì)可能存在的任何有機(jī)污染物進(jìn)行詳細(xì)分析。

MiniSIMS ToF儀器特點(diǎn)：

• 全面支持靜態(tài)二次離子質(zhì)譜、成像二次離子質(zhì)譜以及動(dòng)態(tài)（深度剖面）二次離子質(zhì)譜；
  

• 具備表面成像和深度剖析功能；

• 提供的SIMS材料譜庫(kù)包含上千種材料的質(zhì)譜數(shù)據(jù)，可識(shí)別未知的化合物和材料；

• 可同時(shí)分析所有元素及有機(jī)物，可消除有機(jī)物和元素干擾，使譜圖更清晰，檢測(cè)限更低，能更有效地分析材料樣品。

• 專用數(shù)據(jù)處理軟件允許分析數(shù)據(jù)和樣品的化學(xué)構(gòu)成信息進(jìn)行全面的交互提取，其所有儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)都能用于溯源性分析。

MiniSIMS ToF應(yīng)用領(lǐng)域:

• 表面涂層和處理
  

• 電子元件和半導(dǎo)體
  

• 電極與傳感器
  

• 潤(rùn)滑劑
  

• 催化劑
  

• 粘合劑
  

• 薄膜等包裝材料
  

• 腐蝕研究
  

• 大學(xué)教學(xué)與科研